长江存储已于11月9日起诉美光及子公司侵犯其8项美国专利，长江存储称诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。
此前，长江存储和美光都已经先后研制出232层3D NAND闪存颗粒，但根据美国加利福尼亚北区法院公布的信息了解到，长江存储已于11月9日起诉美光及子公司侵犯其8项美国专利。长江存储在专利侵权起诉书中称，诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。
长江存储在起诉书中提到，美光使用长江存储的专利技术，以抵御来自长江存储的竞争，并获得和保护市场份额。诉讼旨在解决以下问题的一个方面：美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash（闪存）市场来阻止竞争和创新。长江存储指控美光侵犯了美国专利号为“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的专利。美光被控侵权的产品包括96层、128层、176层和232层3D NAND产品，包括了美光目前在售的大部分闪存产品以及固态硬盘产品。
长江存储在起诉书当中表示，长江存储不再是这一领域当中的新人，无论是销量还是技术水平都已经成为全球3D NAND市场的重要参与者。长江存储表示，去年11月，分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司在分析长存最新的232层3D NAND闪存时得出结论：长江存储是3D NAND闪存领域的领导者，超过了美光。
